Transistor bipolar BSP52T1G

Características del transistor BSP52T1G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223
  • El BSP52T1G es la versión sin plomo del transistor BSP52T1

Diagrama de pines del BSP52T1G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor BSP52T1G está marcado como "BSP52G".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BSP52T1G es el BSP62T1G.

Sustitución y equivalentes para el transistor BSP52T1G

Puede sustituir el BSP52T1G por el BSP52, BSP52T1, BSP52T3 o BSP52T3G.
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