Transistor bipolar BSP52T1

Características del transistor BSP52T1

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1.25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 1000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del BSP52T1

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor BSP52T1 está marcado como "BSP52".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BSP52T1 es el BSP62T1.

Sustitución y equivalentes para el transistor BSP52T1

Puede sustituir el BSP52T1 por el BSP52, BSP52T1G, BSP52T3 o BSP52T3G.

Versión sin plomo

El transistor BSP52T1G es la versión sin plomo del BSP52T1.
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