Transistor bipolar BDW83B

Características del transistor BDW83B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-247

Diagrama de pines del BDW83B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW83B es el BDW84B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW83B

Puede sustituir el BDW83B por el BD245B, BD245C, BD249B, BD249C, BDW83C, BDW83D o TIP35CA.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com