Transistor bipolar BD249B
Características del transistor BD249B
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 25 A
- Disipación de Potencia Máxima: 125 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 25
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del BD249B
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD249B
Equivalent
- TO-220 package, BD244A: 65 watts
- TO-3P package, BD245: 80 watts
- TO-3P package, BD245C: 80 watts
- TO-3P package, BD246B: 80 watts
- TO-3P package, BD250: 125 watts
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