Transistor bipolar BD249B

Características del transistor BD249B

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 90 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 25 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 25
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del BD249B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BD249B es el BD250B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD249B

Puede sustituir el BD249B por el 2SD1841, 2SD1841-P, 2SD1841-Q, 2SD1842, 2SD1842-P, 2SD1842-Q o BD249C.

Equivalent

Same transistor is also available in:
  • TO-220 package, BD244A: 65 watts
  • TO-3P package, BD245: 80 watts
  • TO-3P package, BD245C: 80 watts
  • TO-3P package, BD246B: 80 watts
  • TO-3P package, BD250: 125 watts
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