Transistor bipolar BDW83C

Características del transistor BDW83C

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 125 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 750 a 20000
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-247

Diagrama de pines del BDW83C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDW83C es el BDW84C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDW83C

Puede sustituir el BDW83C por el BD245C, BD249C, BDW83D o TIP35CA.
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