Transistor bipolar BDT32B

Características del transistor BDT32B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 10 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT32B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT32B es el BDT31B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT32B

Puede sustituir el BDT32B por el BDT32C, D44C10, D45C10, MJF32C, MJF32CG, TIP32B, TIP32BG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D, TIP32E o TIP32F.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com