Transistor bipolar BDT32C

Características del transistor BDT32C

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 10 a 50
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del BDT32C

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT32C es el BDT31C.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT32C

Puede sustituir el BDT32C por el MJF32C, MJF32CG, TIP32C, TIP32CF, TIP32CG, TIP32D, TIP32E o TIP32F.
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