Transistor bipolar BDT31B

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 120 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 10 a 50
• Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT31B es el BDT32B.Puede sustituir el BDT31B por el BDT31C, MJF31C, MJF31CG, TIP31B, TIP31BG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E o TIP31F.