Transistor bipolar BDT32A
Características del transistor BDT32A
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 40 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 10 a 50
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220
Diagrama de pines del BDT32A
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDT32A
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