Transistor bipolar BDT31C

• Tipo: NPN
• Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
• Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
• Disipación de Potencia Máxima: 40 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 10 a 50
• Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-220

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor PNP complementario del BDT31C es el BDT32C.Puede sustituir el BDT31C por el MJF31C, MJF31CG, TIP31C, TIP31CF, TIP31CG, TIP31D, TIP31E o TIP31F.