Transistor bipolar BDT29CF
Características del transistor BDT29CF
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 19 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 75
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular BDT29C transistor
Diagrama de pines del BDT29CF
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDT29CF
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