Transistor bipolar MJE5182

Características del transistor MJE5182

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 65 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 100
  • Frecuencia máxima de trabajo: 1 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del MJE5182

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del MJE5182 es el MJE5172.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE5182

Puede sustituir el MJE5182 por el TIP41F o TIP42F.
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