Transistor bipolar BDT30CF
Características del transistor BDT30CF
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
- Disipación de Potencia Máxima: 19 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 75
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-220F
- Electrically Similar to the Popular BDT30C transistor
Diagrama de pines del BDT30CF
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BDT30CF
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