Transistor bipolar BDT30CF

Características del transistor BDT30CF

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 19 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 15 a 75
  • Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220F
  • Electrically Similar to the Popular BDT30C transistor

Diagrama de pines del BDT30CF

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BDT30CF es el BDT29CF.

Sustitución y equivalentes para el transistor BDT30CF

Puede sustituir el BDT30CF por el 2N6475, 2N6476, BD712, BD912, BDT42C, BDT42CF, MJE5170, MJE5171, MJE5172, NTE292, TIP30C, TIP30CG, TIP42C, TIP42CF o TIP42CG.
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