Transistor bipolar BDP955

Características del transistor BDP955

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 3 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 475
  • Frecuencia máxima de trabajo: 100 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: SOT-223

Diagrama de pines del BDP955

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Marcado

El transistor BDP955 está marcado como "BDP955".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del BDP955 es el BDP956.
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