Transistor bipolar BD376-10

Características del transistor BD376-10

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -45 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -50 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -2 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 25 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 63 a 160
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD376-10

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor BD376-10 puede tener una ganancia de corriente de 63 a 160. La ganancia del BD376 estará en el rango de 40 a 375, para el BD376-16 estará en el rango de 100 a 250, para el BD376-25 estará en el rango de 150 a 375, para el BD376-6 estará en el rango de 40 a 100.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD376-10 es el BD375-10.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD376-10

Puede sustituir el BD376-10 por el 2SA1214, 2SB744, 2SB744A, BD132, BD176, BD176-10, BD178, BD178-10, BD180, BD180-10, BD180G, BD188, BD190, BD234, BD234G, BD236, BD236G, BD238, BD238G, BD378, BD378-10, BD380, BD380-10, BD786, BD788, BD788G, BD790, KSB744, KSB744A, KSE171, KSE172, MJE171, MJE171G, MJE172, MJE172G, MJE233, MJE235, MJE250, MJE251 o MJE252.
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