Transistor bipolar BD250B

Características del transistor BD250B

Tipo: PNP
Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
Tensión Máxima Colector-Base: -90 V
Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
Corriente DC Máxima del Colector: -25 A
Disipación de Potencia Máxima: 125 W
Ganancia de corriente continua (h_fe): 25
Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del BD250B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD250B es el BD249B.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD250B

Puede sustituir el BD250B por el 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1231-Q, 2SB1232, 2SB1232-P, 2SB1232-Q o BD250C.

Equivalent

Same transistor is also available in:

TO-220 package, BD244B: 65 watts
TO-3P package, BD245A: 80 watts
TO-3P package, BD246: 80 watts
TO-3P package, BD246C: 80 watts
TO-3P package, BD249A: 125 watts

Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com