Transistor bipolar 2SB1232-P
Características del transistor 2SB1232-P
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -40 A
- Disipación de Potencia Máxima: 150 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 100
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3P
Diagrama de pines del 2SB1232-P
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
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