Transistor bipolar 2SB1232-P

Características del transistor 2SB1232-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -40 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 150 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 100
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1232-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1232-P puede tener una ganancia de corriente de 50 a 100. La ganancia del 2SB1232 estará en el rango de 50 a 140, para el 2SB1232-Q estará en el rango de 70 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1232-P puede estar marcado sólo como "B1232-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1232-P es el 2SD1842-P.
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