Transistor bipolar BD231

Características del transistor BD231

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del BD231

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del BD231 es el BD230.

Versión SMD del transistor BD231

El BCP53 (SOT-223) es la versión SMD del transistor BD231.

Sustitución y equivalentes para el transistor BD231

Puede sustituir el BD231 por el BD140, BD140G, BD170, BD180, BD180G, BD238, BD238G, BD380, BD790, BD792, MJE252, MJE254 o MJE712.
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