Transistor bipolar BD175-10
Características del transistor BD175-10
- Tipo: NPN
- Tensión Máxima Colector-Emisor: 45 V
- Tensión Máxima Colector-Base: 45 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
- Disipación de Potencia Máxima: 30 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 63 a 160
- Frecuencia máxima de trabajo: 3 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-126
Diagrama de pines del BD175-10
Clasificación de hFE
Transistor PNP complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor BD175-10
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