Transistor bipolar MJE181G

Características del transistor MJE181G

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 12.5 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 250
  • Frecuencia máxima de trabajo: 50 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del MJE181G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE181G

Puede sustituir el MJE181G por el BD177, BD179, BD189, BD787, BD787G, BD789, BD791, BDX35, BDX36, BDX37, KSE181, KSE182, MJE181, MJE182, MJE182G, MJE225, MJE242 o MJE244.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com