Transistor bipolar 2SD858-R

Características del transistor 2SD858-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 90
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SD858-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD858-R puede tener una ganancia de corriente de 40 a 90. La ganancia del 2SD858 estará en el rango de 40 a 250, para el 2SD858-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SD858-Q estará en el rango de 70 a 150.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD858-R puede estar marcado sólo como "D858-R".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD858-R es el 2SB763-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD858-R

Puede sustituir el 2SD858-R por el 2SD731, BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C, BD745A, BD745B, BD745C, BDV91, BDV93, BDV95, NTE390, TIP33A, TIP33B, TIP33C o TIP35CA.
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