Transistor bipolar 2SD858

Características del transistor 2SD858

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SD858

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD858 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del 2SD858-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SD858-Q estará en el rango de 70 a 150, para el 2SD858-R estará en el rango de 40 a 90.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD858 puede estar marcado sólo como "D858".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD858 es el 2SB763.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD858

Puede sustituir el 2SD858 por el BD245A, BD245B, BD245C, BD249A, BD249B, BD249C, BDV91, BDV93, BDV95 o TIP35CA.
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