Transistor bipolar 2SD1212-R

Características del transistor 2SD1212-R

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD1212-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1212-R puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SD1212 estará en el rango de 70 a 280, para el 2SD1212-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SD1212-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1212-R puede estar marcado sólo como "D1212-R".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1212-R es el 2SB903-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1212-R

Puede sustituir el 2SD1212-R por el 2SC3345, 2SC3709, 2SC3709A, 2SC4552, 2SC4552-M, 2SD1062, 2SD1062-R, 2SD1669, 2SD1669-R, BD545, BD545A, BDT81 o BDT81F.
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