Transistor bipolar 2SD1212

Características del transistor 2SD1212

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 30 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 280
  • Frecuencia máxima de trabajo: 120 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SD1212

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1212 puede tener una ganancia de corriente de 70 a 280. La ganancia del 2SD1212-Q estará en el rango de 70 a 140, para el 2SD1212-R estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1212-S estará en el rango de 140 a 280.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1212 puede estar marcado sólo como "D1212".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1212 es el 2SB903.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1212

Puede sustituir el 2SD1212 por el 2SD1062, 2SD1669, BD545, BD545A, BDT81 o BDT81F.
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