Transistor bipolar 2SD1032A

Características del transistor 2SD1032A

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SD1032A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1032A puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del 2SD1032A-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SD1032A-Q estará en el rango de 70 a 150, para el 2SD1032A-R estará en el rango de 40 a 90.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1032A puede estar marcado sólo como "D1032A".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1032A es el 2SB812A.

Versión SMD del transistor 2SD1032A

El BDP951 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SD1032A.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1032A

Puede sustituir el 2SD1032A por el BD245B, BD245C, BD249B, BD249C, BDV93, BDV95 o TIP35CA.
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