Transistor bipolar 2SB812A

Características del transistor 2SB812A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -80 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -4 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 60 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB812A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB812A puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del 2SB812A-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SB812A-Q estará en el rango de 70 a 150, para el 2SB812A-R estará en el rango de 40 a 90.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB812A puede estar marcado sólo como "B812A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB812A es el 2SD1032A.

Versión SMD del transistor 2SB812A

El BDP952 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB812A.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB812A

Puede sustituir el 2SB812A por el 2SA1106, BD246B, BD246C, BD250B, BD250C, BDV94, BDV96 o TIP36CA.
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