Transistor bipolar 2SB761

Características del transistor 2SB761

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -60 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -60 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -3 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 35 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 250
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB761

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB761 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 250. La ganancia del 2SB761-P estará en el rango de 120 a 250, para el 2SB761-Q estará en el rango de 70 a 150, para el 2SB761-R estará en el rango de 40 a 90.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB761 puede estar marcado sólo como "B761".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB761 es el 2SD856.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB761

Puede sustituir el 2SB761 por el 2SA1262, 2SA1488, 2SA1488A, 2SA770, 2SA771, 2SB507, 2SB633, 2SB761A, 2SB762, 2SB762A, 2SB942, 2SB942A, BD204, BD242A, BD242B, BD242C, BD244A, BD244B, BD244C, BD304, BD536, BD538, BD540A, BD540B, BD540C, BD798, BD800, BD802, BD808, BD810, BD936, BD936F, BD938, BD938F, BD940, BD940F, BD942, BD942F, BD950, BD952, BD954, BD956, BDT82, BDT82F, BDT84, BDT84F, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDX78, D44C10, D44C11, D44C12, D44C7, D44C8, D44C9, D45C10, D45C11, D45C12, D45C7, D45C8, D45C9, MJE15029 o MJE15029G.
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