Transistor bipolar 2SB705-Q

Características del transistor 2SB705-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 120 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 17 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB705-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB705-Q puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB705 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB705-R estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB705-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB705-Q puede estar marcado sólo como "B705-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB705-Q es el 2SD745-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB705-Q

Puede sustituir el 2SB705-Q por el 2SA1007A, 2SA1007A-Q, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA747A, 2SA908, 2SA909, 2SB600, 2SB600-Q, 2SB697, 2SB697-E, 2SB697K, 2SB697K-E, 2SB705A, 2SB705A-Q, 2SB705B, 2SB705B-Q, 2SB706, 2SB706-Q, 2SB706A, 2SB706A-Q, 2SB722, 2SB723 o 2SB723-C.
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