Transistor bipolar 2SB706-Q
Características del transistor 2SB706-Q
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -180 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
- Disipación de Potencia Máxima: 200 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
- Frecuencia máxima de trabajo: 14 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del 2SB706-Q
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB706-Q
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