Transistor bipolar 2SB648A-B

Características del transistor 2SB648A-B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -180 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.05 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 1 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB648A-B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB648A-B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB648A estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB648A-C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB648A-B puede estar marcado sólo como "B648A-B".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB648A-B es el 2SD668A-B.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB648A-B

Puede sustituir el 2SB648A-B por el 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1322, 2SA1352, 2SA1352-D, 2SA1353, 2SA1353-D, 2SA1380, 2SA1380-D, 2SA1381, 2SA1381-D, 2SA1406, 2SA1406-D, 2SA1407, 2SA1407-D, 2SA1478, 2SA1478-D, 2SA1479, 2SA1479-D, 2SA1480, 2SA1480-D, 2SA1540, 2SA1540-D, 2SA1541, 2SA1541-D, 2SB1109, 2SB1109-B, 2SB1110, 2SB1110-B, 2SB649A, 2SB649A-B, HSB1109, HSB1109-B, KSA1220A, KSA1220A-R, KSA1381, KSA1381-D, KSE350, MJE350 o MJE350G.
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