Transistor bipolar MJE350G

Características del transistor MJE350G

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -300 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -300 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.5 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 20 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 30 a 240
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126
  • El MJE350G es la versión sin plomo del transistor MJE350

Diagrama de pines del MJE350G

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Sustitución y equivalentes para el transistor MJE350G

Puede sustituir el MJE350G por el KSE350 o MJE350.
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