Transistor bipolar 2SB646-B

Características del transistor 2SB646-B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.05 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SB646-B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB646-B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB646 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB646-C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB646-D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB646-B puede estar marcado sólo como "B646-B".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB646-B es el 2SD666-B.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB646-B

Puede sustituir el 2SB646-B por el 2N5401C, 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SA1284, 2SA984K, 2SA984K-D, 2SB560, 2SB560-D, 2SB646A, 2SB646A-B, 2SB647, 2SB647A, 2SB647AB, 2SB647B, BC640, HSB1109S, HSB1109S-B, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 o KTA1275R.
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