Transistor bipolar 2SB646A

Características del transistor 2SB646A

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -0.05 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SB646A

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB646A puede tener una ganancia de corriente de 60 a 200. La ganancia del 2SB646A-B estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB646A-C estará en el rango de 100 a 200.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB646A puede estar marcado sólo como "B646A".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB646A es el 2SD666A.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB646A

Puede sustituir el 2SB646A por el 2N5401C, 2SA1013, 2SA1018, 2SA1275, 2SA1284, 2SA1370, 2SA879, 2SB1221, 2SB647A, HSB1109S, KSA1013 o KTA1275.
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