Transistor bipolar 2SB647B

Características del transistor 2SB647B

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 0.9 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 140 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-92MOD

Diagrama de pines del 2SB647B

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB647B puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB647 estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB647C estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB647D estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB647B puede estar marcado sólo como "B647B".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB647B es el 2SD667B.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB647B

Puede sustituir el 2SB647B por el 2SA1013, 2SA1013R, 2SA1275, 2SA1275-R, 2SB647A, 2SB647AB, KSA1013, KSA1013R, KTA1275 o KTA1275R.
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