Transistor bipolar 2SB633-E

Características del transistor 2SB633-E

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -85 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -100 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 40 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 100 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 5 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-220

Diagrama de pines del 2SB633-E

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB633-E puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB633 estará en el rango de 40 a 320, para el 2SB633-C estará en el rango de 40 a 80, para el 2SB633-D estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB633-F estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB633-E puede estar marcado sólo como "B633-E".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB633-E es el 2SD613-E.

Versión SMD del transistor 2SB633-E

El BDP954 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB633-E.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB633-E

Puede sustituir el 2SB633-E por el 2SA1010, 2SA1010K, 2SA1077, BD244C, BD544C, BD546C, BD802, BDT86, BDT86F, BDT88, BDT88F, BDT96, BDT96F, KSA1010, KSA1010Y, MJE15029, MJE15029G, MJE15031, MJE15031G, MJF15031 o MJF15031G.
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