Transistor bipolar 2SB631K-D

Características del transistor 2SB631K-D

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -1 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 8 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 130 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-126

Diagrama de pines del 2SB631K-D

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB631K-D puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB631K estará en el rango de 60 a 320, para el 2SB631K-E estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB631K-F estará en el rango de 160 a 320.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB631K-D puede estar marcado sólo como "B631K-D".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB631K-D es el 2SD600K-D.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB631K-D

Puede sustituir el 2SB631K-D por el 2SA1021, 2SA1021-R, 2SA1220, 2SA1220-R, 2SA1220A, 2SA1220A-R, 2SA1408, 2SA1408-R, 2SB649, 2SB649-B, 2SB649A, 2SB649A-B, KSA1220, KSA1220-R, KSA1220A o KSA1220A-R.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com