Transistor bipolar 2SB600-R

Características del transistor 2SB600-R

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 200 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB600-R

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB600-R puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB600 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB600-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB600-S estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB600-R puede estar marcado sólo como "B600-R".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB600-R es el 2SD555-R.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB600-R

Puede sustituir el 2SB600-R por el 2SA909, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012 o MJ15012G.
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