Transistor bipolar 2SB600-R

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -200 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -200 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -10 A
• Disipación de Potencia Máxima: 200 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 60 a 120
• Frecuencia máxima de trabajo: 4 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB600-R puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB600 estará en el rango de 40 a 200, para el 2SB600-Q estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB600-S estará en el rango de 40 a 80.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB600-R puede estar marcado sólo como "B600-R".El transistor NPN complementario del 2SB600-R es el 2SD555-R.Puede sustituir el 2SB600-R por el 2SA909, 2SB706A, 2SB706A-R, 2SB723, 2SB723-B, MJ15012 o MJ15012G.