Transistor bipolar 2SB556-O

Características del transistor 2SB556-O

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB556-O

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB556-O puede tener una ganancia de corriente de 70 a 140. La ganancia del 2SB556 estará en el rango de 40 a 140, para el 2SB556-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB556-O puede estar marcado sólo como "B556-O".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB556-O es el 2SD426-O.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB556-O

Puede sustituir el 2SB556-O por el 2SA1041, 2SA1043, 2SA1072, 2SA1072A, 2SA1073, 2SA679, 2SA679-Y, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB554-O, 2SB555, 2SB555-O, 2SB697, 2SB697K, 2SB722, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 o MJ15004G.
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