Transistor bipolar 2SB556-O
Características del transistor 2SB556-O
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
- Disipación de Potencia Máxima: 100 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 70 a 140
- Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3
Diagrama de pines del 2SB556-O
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB556-O
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