Transistor bipolar 2SB556

Características del transistor 2SB556

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB556

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB556 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 140. La ganancia del 2SB556-O estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB556-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB556 puede estar marcado sólo como "B556".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB556 es el 2SD426.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB556

Puede sustituir el 2SB556 por el 2SA1041, 2SA1043, 2SA679, 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB555, 2SB697, 2SB697K, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 o MJ15004G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com