Transistor bipolar 2SB555

Características del transistor 2SB555

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -140 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -140 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 140
  • Frecuencia máxima de trabajo: 6 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -65 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3

Diagrama de pines del 2SB555

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB555 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 140. La ganancia del 2SB555-O estará en el rango de 70 a 140, para el 2SB555-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB555 puede estar marcado sólo como "B555".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB555 es el 2SD425.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB555

Puede sustituir el 2SB555 por el 2SA908, 2SA909, 2SB554, 2SB697, 2SB697K, 2SB723, MJ15002, MJ15002G, MJ15004 o MJ15004G.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com