Transistor bipolar 2SB1230-P

Características del transistor 2SB1230-P

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 100
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1230-P

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1230-P puede tener una ganancia de corriente de 50 a 100. La ganancia del 2SB1230 estará en el rango de 50 a 140, para el 2SB1230-Q estará en el rango de 70 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1230-P puede estar marcado sólo como "B1230-P".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1230-P es el 2SD1840-P.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1230-P

Puede sustituir el 2SB1230-P por el 2SA1386, 2SA1386-O, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA1492-O, 2SA2151, 2SA2151-O, 2SB1231, 2SB1231-P, 2SB1232, 2SB1232-P, BD246C, BD250C, BD746C o TIP36CA.
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