Transistor bipolar 2SB1230

Características del transistor 2SB1230

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -100 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -110 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -6 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 100 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 50 a 140
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3P

Diagrama de pines del 2SB1230

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1230 puede tener una ganancia de corriente de 50 a 140. La ganancia del 2SB1230-P estará en el rango de 50 a 100, para el 2SB1230-Q estará en el rango de 70 a 140.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1230 puede estar marcado sólo como "B1230".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1230 es el 2SD1840.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1230

Puede sustituir el 2SB1230 por el 2SA1386, 2SA1386A, 2SA1386A-O, 2SA1386A-P, 2SA1386A-Y, 2SA1492, 2SA2151, 2SB1231, 2SB1232, BD246C, BD250C, BD746C o TIP36CA.
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