Transistor bipolar 2SB1161-Q

Características del transistor 2SB1161-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 120 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SB1161-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1161-Q puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SB1161 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1161-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1161-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1161-Q puede estar marcado sólo como "B1161-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1161-Q es el 2SD1716-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1161-Q

Puede sustituir el 2SB1161-Q por el 2SA1673 o 2SA1987.
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