Transistor bipolar 2SD1716-Q

Características del transistor 2SD1716-Q

  • Tipo: NPN
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: 160 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: 160 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: 5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: 12 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 120 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 60 a 120
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SD1716-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SD1716-Q puede tener una ganancia de corriente de 60 a 120. La ganancia del 2SD1716 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SD1716-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SD1716-S estará en el rango de 80 a 160.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SD1716-Q puede estar marcado sólo como "D1716-Q".

Transistor PNP complementario

El transistor PNP complementario del 2SD1716-Q es el 2SB1161-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SD1716-Q

Puede sustituir el 2SD1716-Q por el 2SC4388 o 2SC5359.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com