Transistor bipolar 2SB1161-P

• Tipo: PNP
• Tensión Máxima Colector-Emisor: -160 V
• Tensión Máxima Colector-Base: -160 V
• Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
• Corriente DC Máxima del Colector: -12 A
• Disipación de Potencia Máxima: 120 W
• Ganancia de corriente continua (h_fe): 100 a 200
• Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
• Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
• Encapsulado: TO-3PF

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.El transistor 2SB1161-P puede tener una ganancia de corriente de 100 a 200. La ganancia del 2SB1161 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1161-Q estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1161-S estará en el rango de 80 a 160.A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1161-P puede estar marcado sólo como "B1161-P".El transistor NPN complementario del 2SB1161-P es el 2SD1716-P.