Transistor bipolar 2SB1158-S

Características del transistor 2SB1158-S

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 80 a 160
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SB1158-S

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1158-S puede tener una ganancia de corriente de 80 a 160. La ganancia del 2SB1158 estará en el rango de 60 a 200, para el 2SB1158-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1158-Q estará en el rango de 60 a 120.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1158-S puede estar marcado sólo como "B1158-S".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1158-S es el 2SD1713-S.

Versión SMD del transistor 2SB1158-S

El BDP956 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1158-S.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1158-S

Puede sustituir el 2SB1158-S por el 2SA1673, 2SA1860, 2SA1908, 2SA1909, 2SA1987, 2SA1987-O, 2SB1055, 2SB1056, 2SB1057, 2SB1159, 2SB1159-S, 2SB1160, 2SB1160-S, 2SB1161, 2SB1161-S o FJAF4210.
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