Transistor bipolar 2SB1055

Características del transistor 2SB1055

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -120 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -120 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -5 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -6 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 70 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 40 a 200
  • Frecuencia máxima de trabajo: 20 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SB1055

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1055 puede tener una ganancia de corriente de 40 a 200. La ganancia del 2SB1055-P estará en el rango de 100 a 200, para el 2SB1055-Q estará en el rango de 60 a 120, para el 2SB1055-R estará en el rango de 40 a 80.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1055 puede estar marcado sólo como "B1055".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1055 es el 2SD1486.

Versión SMD del transistor 2SB1055

El BDP956 (SOT-223) es la versión SMD del transistor 2SB1055.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1055

Puede sustituir el 2SB1055 por el 2SB1056 o 2SB1057.
Si encuentra un error, envíe un correo electrónico a mail@el-component.com