Transistor bipolar 2SB1155-Q

Características del transistor 2SB1155-Q

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 180
  • Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SB1155-Q

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1155-Q puede tener una ganancia de corriente de 90 a 180. La ganancia del 2SB1155 estará en el rango de 90 a 260, para el 2SB1155-P estará en el rango de 130 a 260.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1155-Q puede estar marcado sólo como "B1155-Q".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1155-Q es el 2SD1706-Q.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1155-Q

Puede sustituir el 2SB1155-Q por el 2SB1156 o 2SB1156-Q.
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