Transistor bipolar 2SB1156-Q
Características del transistor 2SB1156-Q
- Tipo: PNP
- Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
- Tensión Máxima Colector-Base: -130 V
- Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
- Corriente DC Máxima del Colector: -20 A
- Disipación de Potencia Máxima: 100 W
- Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 180
- Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
- Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
- Encapsulado: TO-3PF
Diagrama de pines del 2SB1156-Q
Clasificación de hFE
Marcado
Transistor NPN complementario
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