Transistor bipolar 2SB1155

Características del transistor 2SB1155

  • Tipo: PNP
  • Tensión Máxima Colector-Emisor: -80 V
  • Tensión Máxima Colector-Base: -130 V
  • Tensión Máxima Emisor-Base: -7 V
  • Corriente DC Máxima del Colector: -15 A
  • Disipación de Potencia Máxima: 80 W
  • Ganancia de corriente continua (hfe): 90 a 260
  • Frecuencia máxima de trabajo: 25 MHz
  • Temperatura de almacenamiento y funcionamiento: -55 to +150 °C
  • Encapsulado: TO-3PF

Diagrama de pines del 2SB1155

Aquí hay una imagen que muestra el diagrama de pines de este transistor.

Clasificación de hFE

El transistor 2SB1155 puede tener una ganancia de corriente de 90 a 260. La ganancia del 2SB1155-P estará en el rango de 130 a 260, para el 2SB1155-Q estará en el rango de 90 a 180.

Marcado

A veces, el prefijo "2S" no está marcado en el paquete: el 2SB1155 puede estar marcado sólo como "B1155".

Transistor NPN complementario

El transistor NPN complementario del 2SB1155 es el 2SD1706.

Sustitución y equivalentes para el transistor 2SB1155

Puede sustituir el 2SB1155 por el 2SB1156.
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